以硅碳棒为加热元件，炉体采用双层炉壳结构，双层风冷系统，可以快速升降温，炉壳表面温度低；炉门、炉**采用高温硅橡胶密封，炉门配备水冷系统。炉体上有进气口、口、抽真空口。炉膛材料采用的进口氧化铝多晶纤维真空吸附制成，节能50%，加热元件采用硅碳棒。电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定能力并可编制各种升温程序等功能，该控制系统温度显示精度为1℃，温场稳定度±5℃，升温速率1~20℃可任意置。箱式气氛炉结构复杂由炉体、加热室、真空室、温控系统、密封系统、真空系统等组成。外观采用耐高温、耐腐蚀油漆处理。炉门采用加厚、加固处理，防止变形。可观性强，为实验室产品。炉门开启采用铰链联接，炉门密封采用耐高温硅胶圈真空密封。控温仪表采用智能数显仪表，双LED显示。
即关闭全部阀门，此工艺应经工艺试验，由熟练工人掌握。气氛烧结炉采用技术。自行研制开发的耐高温，高性能的节能新型气氛炉，采用高纯多孔氧化钼材料，经特工艺构建炉膛，并采用多段智能程序控制器全过程自动控制温度，综合性能指标高，处于国内外较高水平。为了控制周围环境对烧结制品的影响并调整烧结制品成分，氧化性气氛，包括纯氧、空气、水蒸气等，用于贵金属的烧结，氧化物弥散强化材料和某些含氧化物质点电接触材料的内氧化烧结以及预氧化活化烧结。还原性气氛，包括氢、分解氨、煤气、转换天然气等，用于烧结时还原被氧化的金属及保护金属不被氧化，广泛用于铜、铁、钨、钼等合金制品的烧结中。惰性或中性气氛，包括氮、氩、氦及真空等。渗碳气氛，即CO，CH4及其他碳氢化合物的气体，对于铁及低碳钢具有渗碳作用。渗氮气氛。

安全性能好，使用寿命长。炉体采用双层炉壳结构，高性能隔热材料，外表面温度低,节能50%。箱式气氛炉炉门、炉**采用高温硅橡胶密封，炉门配备水冷系统。炉体上有进气口、口、抽真空口。采用真空成型工艺技术生产的进口无机纤维作为炉膛的保温材料和的绝热设计。加热元件为康泰尔电阻丝，电阻丝缠绕在陶瓷棒上，分别设置在炉膛内的底部、左右三个面上，电阻丝可以更换，炉内的温场稳定度±5℃。电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定能力并可编制各种升温程序，具有**高温报警功能，具有热电偶损坏断电功能，具有内置参数密码控制功能。可以通氢气、氩气、氮气等其他气体，并能预抽真空，真空度可以达到20kPa，气氛压力可以达到0.1Mpa,炉体采用10mm钢板加工而成。

倍数大等优点。温度区域，可选气氛，真空炉类型等。高温炉用于实验室分析，工矿企业，科研单位对金属零件进行元素分析，测量和热处理。高温炉还可以用于金属的高温加热，陶瓷烧结，熔融和分析。1.一次使用高温炉或长期关闭时，需要烘干。烤箱应在室温下于200°C保持4小时。在200°C至600°C下保持4小时。使用时，炉温不得**过额定温度，以免烧毁加热元件。禁止向炉内注入各种液体和可溶性金属。马弗炉的工作温度低于50°C的高温，此时炉子寿命长。2.高温炉和控制器须在相对湿度不**过85的条件下工作，并且没有导电粉尘，性气体或腐蚀性气体。当需要加热诸如油脂的金属材料时，大量的挥发性气体会影响并腐蚀电加热元件的表面，从而破坏并缩短寿命。因此，加热时应及时防止和密封或正确打开和取出。3.控制器应限制在0-40°C的环境温度范围内使用。

实验气氛炉是奥菲达仪器专为学校实验室精心研制的气氛炉，产品具有合理的结构，升温快，操作简便等特点，实验气氛炉掺钼铁铬铝合金电阻丝为加热元件，采用真空成型工艺技术生产的进口无机纤维作为炉膛的保温材料和的绝热设计。炉体采用双层炉壳结构，高性能隔热材料，并配有冷却风扇，使炉体外表面温度低,比普通窑炉节能60%。炉门、炉**采用高温硅橡胶密封，炉门配备水冷系统。可预抽真空并可通入多种惰性气体。实验气氛炉适用于高校、科研院所、工矿企业做高温烧结、金属退火、新材料开发、**物质灰化、质量检测和小型钢件等加热、焙烧、热处理之用，也适用于、电子、、特种材料等生产和实验。真空气氛炉以硅碳棒为加热元件，炉体采用双层炉壳结构，双层风冷系统，可以快速升降温，炉壳表面温度低；炉门、炉**采用高温硅橡胶密封。
移相触发，可控硅控制组装成一套与电炉匹配的智能电器，具有使用寿命长，耐冲压，安全，无噪音等，告别老式继电器电路。温度类别：800度-1200度，1400度，1600度，气氛箱式炉应用于适合各类大专院校实验室、工矿企业化验室，供化学分析、物理测定，以及金属、陶瓷的烧结和熔解、小型钢件等加热、焙烧、烘干、热处理用。产品名称：箱式气氛保护实验炉。用途：用于材料的气氛(氮气)烧结实验。1．额定温度：1350℃。2．常用温度:1300℃。3．炉膛尺寸：400×300×300mm（L×W×H）。4．有效工作尺寸：300×260×260mm（L×W×H）。5．加热方式：左右加热。6．温度仪表：可编程序控制(40段程序)。7．控制方式：可控硅移相调压。8．炉温稳定度：±1℃（以仪表显示为准）。9．均匀性：在有效工作尺寸内±5℃。
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