以硅碳棒为加热元件，炉体采用双层炉壳结构，双层风冷系统，可以快速升降温，炉壳表面温度低；炉门、炉**采用高温硅橡胶密封，炉门配备水冷系统。炉体上有进气口、口、抽真空口。炉膛材料采用的进口氧化铝多晶纤维真空吸附制成，节能50%，加热元件采用硅碳棒。电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定能力并可编制各种升温程序等功能，该控制系统温度显示精度为1℃，温场稳定度±5℃，升温速率1~20℃可任意置。箱式气氛炉结构复杂由炉体、加热室、真空室、温控系统、密封系统、真空系统等组成。外观采用耐高温、耐腐蚀油漆处理。炉门采用加厚、加固处理，防止变形。可观性强，为实验室产品。炉门开启采用铰链联接，炉门密封采用耐高温硅胶圈真空密封。控温仪表采用智能数显仪表，双LED显示。
根据不同的气氛，不同的温度，使用不同的加热元件，型号齐全，安全可靠，同时也可满足于不同工艺实验而制造。1.广泛用于陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材、高校、科研院所、工矿企业做粉末焙烧、陶瓷烧结、高温实验、材料处理、质量检测等。炉体：采用碳钢经过精密的机械加工设备制作而成，双层设计中间带有风道，使表面温度接近室温。外观：采用高温烤漆工艺，双色搭配，使外观美观大方，温控：采用国内编程温控仪及触发模块和电器组成智能电控系统，确保控制精度高，使用寿命长，易操作等特点。变压器：采用全铜线圈缠绕全隔离变压器，发热量小，噪音小，加热元件：采用高质量加热元件，发热均匀，表面光滑，热电偶：采用国标热电偶，度高，使用寿命长。耐火材料：采用轻质陶瓷纤维材料，经过互拼的结构。

即关闭全部阀门，此工艺应经工艺试验，由熟练工人掌握。气氛烧结炉采用技术。自行研制开发的耐高温，高性能的节能新型气氛炉，采用高纯多孔氧化钼材料，经特工艺构建炉膛，并采用多段智能程序控制器全过程自动控制温度，综合性能指标高，处于国内外较高水平。为了控制周围环境对烧结制品的影响并调整烧结制品成分，氧化性气氛，包括纯氧、空气、水蒸气等，用于贵金属的烧结，氧化物弥散强化材料和某些含氧化物质点电接触材料的内氧化烧结以及预氧化活化烧结。还原性气氛，包括氢、分解氨、煤气、转换天然气等，用于烧结时还原被氧化的金属及保护金属不被氧化，广泛用于铜、铁、钨、钼等合金制品的烧结中。惰性或中性气氛，包括氮、氩、氦及真空等。渗碳气氛，即CO，CH4及其他碳氢化合物的气体，对于铁及低碳钢具有渗碳作用。渗氮气氛。

控温精度高，操作方便。电炉带有PID自整定功能，具有**温报警断电加热功能，可无人值守。电线全部接好，货到只需插电就可使用，操作简单。控温方式采用可控硅控温，精度高无声响，满足实验室要求。气氛保护炉，又称气氛炉，由马弗炉演化而成。主要的目的是在高温烧结的情况通入某种特定气体用于热处理，或者对热处理的样品进行保护防止氧化。市场上使用气氛保护多以防止氧化为主。根据炉膛的不同，可以分为管式气氛炉和箱式气氛炉。其中，管式气氛炉，根据温度不同，低温采用石英管高温采用刚玉管为炉管，两端配以法兰密封；箱式气氛炉，多为整体焊接箱体，内衬无机保温材料，立炉门硅胶密封。气氛保护炉上通常都会有以下装置，进管道，阀门，压力显示装置，真空获得装置。该炉是针对产品需要气氛保护面设计的炉型。炉膛你可以通惰性气体、氢气、氮气、也可抽成真空。

是高校、科研院所、工矿企业做气氛保护烧结的理想产品。该高温气氛炉以电阻丝，硅碳棒，硅钼棒为加热元件，采用双层不锈钢壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用进口氧化铝材料，双层炉壳间配有风冷系统。炉体采用整体密封，炉门采用高温硅胶密封，气体经过计后由炉罐进入，并有多处进气口，可以通氢气、氮气等气体，并能抽真空。本设备主要为大专院校、工矿企业等实验和批量生产提供惰性气体等条件，具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高，处于国内ling先水平。根据不同的使用气氛及使用温度，使用不同的加热元件，型号齐全，对需在惰性气体或还原性气体环境下烧结的材料，本设备是一个非常好的选择，同时也可满足于不同工艺实验而制造。
移相触发，可控硅控制组装成一套与电炉匹配的智能电器，具有使用寿命长，耐冲压，安全，无噪音等，告别老式继电器电路。温度类别：800度-1200度，1400度，1600度，气氛箱式炉应用于适合各类大专院校实验室、工矿企业化验室，供化学分析、物理测定，以及金属、陶瓷的烧结和熔解、小型钢件等加热、焙烧、烘干、热处理用。产品名称：箱式气氛保护实验炉。用途：用于材料的气氛(氮气)烧结实验。1．额定温度：1350℃。2．常用温度:1300℃。3．炉膛尺寸：400×300×300mm（L×W×H）。4．有效工作尺寸：300×260×260mm（L×W×H）。5．加热方式：左右加热。6．温度仪表：可编程序控制(40段程序)。7．控制方式：可控硅移相调压。8．炉温稳定度：±1℃（以仪表显示为准）。9．均匀性：在有效工作尺寸内±5℃。
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